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  MEIS-K120은 비행시간 (Time of Flight) 분석법 기반의 중에너지 이온산란 분광 장치(Medium Energy Ion Scattering Spectrometer, MEIS) 입니다. MEIS는 이온을 수십~수백 keV로 가속후 시료에 입사시켜 시료의 원자와 핵간 충돌로 산란되는 일차이온의 에너지를 측정하여 시료를 분석하는 기법으로 표면의 조성 두께 분포를 원자 한층의 두께 분해능으로 분석할 수 있습니다.


 측정원리 Time of Flight-Medium Energy Lon Scattering(TOF-MEIS)
 시스템 구성

RF Plasma Ion Source

Einzel Lenses

Pulsing Module

6 axis Manipulator

Microscope

Secondary Electron Detector(SED)

Time of Flight (TOF) Detector

Pumps : Turbo Pumps, Rotary pump, TSP

Load Lock System with Sample Parking Chamber (6 samples)

Control Unit

 특징

조성 절대정량

3Å 두께 분해능

10μm beam size로 반도체 wafer test pattern 분석

비파괴 검사

빠른 측정과 쉬운 분석

실험실에 설치 가능한 compact한 크기

Auto-fitting이 포함된 편리한 분석

 용도

시편의 조성 두께 분석

Q-dot의 조성과 크기, Core/shell 구조

FinFET과 같은 반복된 나노구조패턴



  Ion 100keV He+
  Measurement Range ~20nm (Depend on materials)
  Beam size 10㎛
  Application areas

Ultra thin film

Composition and the core/shell structure of quantum dot

Nano structure pattern (under development)

  Function

Random/channeling spectra measurement

Direct recoil*

Pattern analysis (10m beam size)

Secondary Electron Imaging system

Auto fitting

  Option

Direct recoil system

300 mm wafer test pattern analysis